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iTomic MeT系列原子层沉积金属化镀膜系统

    iTomic MeT系列原子层沉积金属化镀膜系统适用于栅级金属(Gate Metal功函数调节金属层(Work Function)、MIM金属电极、扩散阻挡层等关键工艺;MeT ALD系列设备在保证工艺中原子级别的膜厚精确控制和高薄膜均匀性的同时,配备自主设计的Degas反应腔,能有效对晶圆进行预处理,去除晶圆表面水汽和杂质,增强薄膜附着性、降低金属化膜层电阻率,从而改善电性能可为先进逻辑芯片、存储芯片制程及先进芯片封装的金属化等关键工艺提供解决方案

    1、采用CTP (Close-to-Point)输送技术,提高薄膜均匀性和重复性以及台阶覆盖率,更好地满足高深宽比结构的沉积需求;

    2、配备in-situ腔体清洗系统,减少污染和缺陷,提高设备使用效率和寿命;

    3、薄膜材料:TiNTaNAlNRuPtWAlTi等;

    4、可选配Degas反应腔,可以有效预处理晶圆去,去除表面水汽和杂质,减少沉积缺陷、提高薄膜质量,改善电性能;

    5、满足14nm的量产工艺需求,可延展应用至更先进IC技术节点。







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