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iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统

    iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统,可根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅先进薄膜工艺及应用,通过精准快速控制成膜速度、超低反应温度、材料配比等技术,完美解决材料厚度均匀性、膜应力,热过程,以及阶梯覆盖率等极具挑战的工艺需求,技术达到国际先进水平iTomic PE系列设备可为先进逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供客制化掩膜层、介质层、多级图案化(SADP & SAQP)等关键工艺解决方案。


    1、采用独特的Thunder Balance技术,实现射频效果的毫秒级切换,具有工艺稳定性好、循环周期短等特点;

    2、多区加热系统确保反应温度的均匀性及稳定性,大大提高薄膜的均匀性;

    3、薄膜材料:SiO2, LTO SiO2, SiN, SiCN, SiOC等;

    4、采用特有的Super-Hydro技术,实现低温工艺平稳可控,满足低温沉积工艺应用;

    5、多腔设计,可搭载1至多个PM,每个PM具有1至多个工艺站,可实现高产能、低成本的生产解决方案。


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